ISSCC 2024（IEEE 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議）將于2月18日至22日在美國(guó)舊金山舉行，此前大會(huì)已確認(rèn)，三星將介紹其最新的GDDR7內(nèi)存技術(shù)，速率達(dá)到了37Gb/s，為16Gb模塊。

據(jù)TomsHardware報(bào)道，三星正在準(zhǔn)備發(fā)布第9代V-NAND技術(shù)的產(chǎn)品，為1Tb（128GB）QLC 3D NAND閃存芯片，達(dá)到了280層，相比第8代V-NAND技術(shù)的236層有了進(jìn)一步的提高。其存儲(chǔ)密度達(dá)到了28.5Gb mm²，將高于目前業(yè)界最高的長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)品，后者的存儲(chǔ)密度為20.62Gb mm²。同時(shí)I/O速率達(dá)到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技術(shù)的2.4 Gbps也要快得多。

作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商，三星對(duì)其V-NAND技術(shù)的開發(fā)制定了宏偉的計(jì)劃。去年三星曾表示，2024年初將開始生產(chǎn)第9代V-NAND技術(shù)的產(chǎn)品，繼續(xù)沿用雙堆棧架構(gòu)，擁有業(yè)界最高的層數(shù)。不過當(dāng)時(shí)三星稱層數(shù)將超過300層，比現(xiàn)在的280層還要更高一些。如果條件允許，三星可能會(huì)提供容量為16TB的M.2 SSD，或者是單面8TB的產(chǎn)品。

據(jù)了解，三星在ISSCC 2024上將展示這款280層QLC 3D NAND閃存。此外，三星還打算展示新一代DDR5芯片，頻率達(dá)到了8000 MHz，為32Gbit模塊，采用了三星第五代10nm級(jí)工藝技術(shù)制造。